Революція у сфері чипів: створено надтонкий транзистор, що витримує 100 млрд перемикань

Новий ультратонкий транзистор перевершує звичайні, які використовуються в сучасній електроніці. Він перемикається за одну наносекунду і вирізняється довговічністю.

Транзистор із сегнетоелектричного матеріалу може зробити революцію в електроніці, впевнені вчені Массачусетського технологічного інституту (MIT), які його розробили. Про нову технологію розповіло видання Tom's Hardware.

Найбільш примітною здатністю транзистора є швидкість, з якою він може змінювати стан свого заряду — протягом однієї ноносекунди, що в рази швидше за сучасні транзистори. Це має велике значення для високопродуктивних обчислень, особливо тому, що технології штучного інтелекту (ШІ) потребують для обробки дедалі більше й більше даних. Оскільки матеріал дуже тонкий, виробники чипів зможуть упакувати транзистори більш щільно, ніж нинішні напівпровідники.

Нова технологія також призведе до підвищення енергоефективності — важливого чинника оброблення даних із використанням ШІ, особливо з урахуванням того, що обмеження за потужністю є "вузьким місцем", коли йдеться про розширення центрів оброблення даних.

Ще одним важливим досягненням є підвищена довговічність нового сегнетоелектричного матеріалу. Сучасні твердотільні накопичувачі мають обмежений термін служби: топові моделі здатні записувати 700 ТБ на кожен 1 ТБ ємності. А транзистор нового покоління не показав жодних ознак деградації навіть після 100 млрд перемикань, що потенційно може призвести до створення архівної флеш-пам'яті.

Наразі команда створила лише один транзистор, щоб продемонструвати його можливості. Перш ніж ця технологія з'явиться на повсякденних пристроях, їй ще належить пройти безліч перевірок і доопрацювань.