Samsung начинает производство 3-нм чипов для использования в наисовременнейших процессорах

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе 3-нанометрового технологического узла с использованием транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Как передает Укринформ, об этом говорится в сообщении компании.

Отмечается, что использование новых технологий повысит эффективность энергопотребления путем снижения уровня питающего напряжения, а также улучшит производительность работы микрочипов, поскольку они будут меньше, мощнее и эффективнее.

Их собираются использовать в высокопроизводительных вычислительных приложениях, а затем внедрят в смартфоны и другие гаджеты.

Эти технологии позволяют снизить энергопотребление на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь поверхности микрочипа на 16% по сравнению с 5-нанометровым.