Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе 3-нанометрового технологического узла с использованием транзисторов Gate-All-Around (GAA).
Как передает Укринформ, об этом говорится в сообщении компании.
Отмечается, что использование новых технологий повысит эффективность энергопотребления путем снижения уровня питающего напряжения, а также улучшит производительность работы микрочипов, поскольку они будут меньше, мощнее и эффективнее.
Их собираются использовать в высокопроизводительных вычислительных приложениях, а затем внедрят в смартфоны и другие гаджеты.
Эти технологии позволяют снизить энергопотребление на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь поверхности микрочипа на 16% по сравнению с 5-нанометровым.