Samsung запустила серийное производство микросхем DDR5 по технологии 12-нм класса

Samsung Electronics сообщила о запуске массового производства микросхем DDR5 по «самой передовой в отрасли» технологии 12-нм класса.

По сравнению с решениями прошлого поколения новые чипы обеспечивают не только лучшую энергоэффективность, но и более высокую производительность.

«Используя дифференцированный техпроцесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM 12-нм класса от Samsung обеспечивает непревзойденную производительность и энергоэффективность, — заявил Джуён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

Для вышеупомянутых микросхем Samsung DDR5 характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ) и скорость передачи информации до 7,2 Гбит/с на контакт.

Вместе с этим переход на новую технологию позволил снизить энергопотребление чипов на 23%, а также увеличить плотность кристаллов, благодаря чему с одной кремниевой пластины южнокорейский гигант получает на 20% больше чипов.

В пресс-релизе чипмейкер также упоминает проверку 16-гигабитной DRAM на совместимость с платформами AMD.