Исследователи Samsung открыли новый полупроводниковый материал

Ученые-исследователи из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) вместе с коллегами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN).

По мнению исследователей, это открытие позволит ускорить появление полупроводниковой продукции следующего поколения.

Статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.

С недавних пор лаборатория SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов.

Нашумевший графен, о котором уже давно не было никаких новостей, как раз является одним из таких материалов.

Ученые разработали новый графеновый транзистор и метод производства монокристаллических пластин большой площади.

Новый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота.

Его получают из «белого графена» с гексагональной молекулярной структурой — атомы азота и бора выстроены в двумерную шестиугольную решетку.

В то же время a-BN выделяется аморфной молекулярной структурой.

По словам Samsung, аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78 и характеризуется высокими электромеханическими свойствами, являясь идеальным изоляционным материалом для межсоединений.

Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при относительно низкой температуре 400°C.

Ожидается, что аморфный нитрид бора найдет широкое применение в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.

Как обычно в таких случаях, о сроках коммерциализации разработки речь не идет.

(Открывается в новом окне).