Слух: у Samsung большие проблемы с техпроцессом 3 нм GAA для новых чипов Exynos
Слух: у Samsung большие проблемы с техпроцессом 3 нм GAA для новых чипов Exynos

Слух: у Samsung большие проблемы с техпроцессом 3 нм GAA для новых чипов Exynos

Появились слухи, что компания Samsung испытывает большие сложности с выпуском чипов на новом техпроцессе 3 нм с технологией GAA.

На базе этого техпроцесса планировали выпускать новые SoC Exynos 2500 для будущих флагманских смартфонов компании.

Теперь же судьба этого чипа под большим вопросом.

Техпроцесс Samsung 3 нм с транзисторами Gate-All-Around (GAA) должен был обеспечить рекордную плотность транзисторов при повышении энергоэффективности и производительности.

Поэтому у компании были большие планы на будущий мобильный чип Exynos 2500, который должен использоваться в телефонах Galaxy S25.

И хотя Samsung начала первое коммерческое производство на конвейере 3 нм еще в 2022 году, последняя версия техпроцесса показала низкую эффективность при выпуске сложных чипов Exynos 2500.

Якобы процент выхода годных кристаллов менее 20%, и специалисты не могут добиться значительных улучшений.

Это ставит под угрозу коммерческую целесообразность такого производства, и заставляет компанию пересмотреть планы относительно смартфона Galaxy S25, который должен был дебютировать в начале следующего года.

Ранее была информация, что компания уже готовит два варианта Galaxy S25 — один на Exynos 2500, а второй на чипе Snapdragon 8 Gen 4.

Теперь же инсайдеры заговорили о возможности переходе Samsung на чипы Media.

Tek, тем более, эта компания за последние годы сумела составить мощную конкуренцию Qualcomm.

И такой вариант позволит компании ослабить зависимость от Qualcomm.

Джерело матеріала
loader