Революция в сфере чипов: создан сверхтонкий транзистор, выдерживающий 100 млрд переключений

Транзистор из сегнетоэлектрического материала может совершить революцию в электронике, уверены ученые Массачусетского технологического института (MIT), которые его разработали. О новой технологии рассказало издание Tom's Hardware.

Наиболее примечательной способностью транзистора является скорость, с которой он может изменять состояние своего заряда — в течение одной ноносекунды, что в разы бвстрее современных транзисторов. Это имеет большое значение для высокопроизводительных вычислений, особенно потому, что технологии искусственного интеллекта (ИИ) требуют для обработки все больше и больше данных. Поскольку материал очень тонкий, производители чипов смогут упаковать транзисторы более плотно, чем нынешние полупроводники.

Новая технология также приведет к повышению энергоэффективности — важного фактора обработки данных с использованием ИИ, особенно с учетом того, что ограничения по мощности являются "узким местом", когда речь заходит о расширении центров обработки данных.

Еще одним важным достижением является повышенная долговечность нового сегнетоэлектрического материала. Современные твердотельные накопители имеют ограниченный срок службы: топовые модели способны записывать 700 ТБ на каждый 1 ТБ емкости. А транзистор нового поколения не показал никаких признаков деградации даже после 100 млрд переключений, что потенциально может привести к созданию архивной флэш-памяти.

На данный момент команда создала всего один транзистор, чтобы продемонстрировать его возможности. Прежде чем эта технология появится на повседневных устройствах, ей еще предстоит пройти множество проверок и доработок.