TSMC объявила о превосходстве над Intel: какими будут новые процессоры из Тайваня

Тайваньская компания TSMC, один из крупнейших разработчиков процессоров в мире, объявила о том, что в ее следующих чипах будет применяться улучшенная технология узла N3P, способная обойти по своим характеристикам технологические узлы Intel 20A и 18A, появление которых планируется в 2024 году. Об этом сообщает портал TechSpot.

Технологический узел N3P — это процесс производства полупроводников, разработанный компанией TSMC. Он имеет размер транзисторов 3 нанометра, а значит транзисторы N3P могут быть более энергоэффективными и производительными. По сравнению с существующим на сегодня технологическим узлом N3 компания анонсирует в N3P улучшенную производительность до 5%, снижение энергопотребления до 10% при тех же тактовых частотах и увеличение плотности транзисторов на 4% для смешанной конструкции микросхемы.

Технология N3P будет использоваться в широком спектре продуктов, включая смартфоны, планшеты, ноутбуки, серверы и автомобильные чипы. N3P будет использовать технологию EUV (ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нанометров) для всех слоев, кроме металлизации. Это позволяет уменьшить размер транзисторов и повысить плотность упаковки. Так же N3P даст возможность применить новую технологию контактных площадок, что повысит плотность упаковки и снизит сопротивление.

Во время недавнего отчета о финансовых результатах генеральный директор TSMC Джефф Су заявил, что их внутренняя оценка подтвердила улучшения технологии N3P. Производственный узел 3-нм класса TSMC продемонстрировал "сопоставимый PPA" (область производительности мощности) с узлом Intel 18A. Ожидается, что N3P будет еще лучше: раньше появится на рынке, сможет похвастаться "более высокой технологической зрелостью" и предложит значительные ценовые преимущества.

Генеральный директор TSMC так же отметил, что 2-нанометровая технология компании, хотя еще находится в стадии разработки, но как ожидается, превзойдет как N3P, так и 18A. Производственный процесс TSMC по нормам 2 нм может стать самой передовой технологией в полупроводниковой промышленности, когда она будет представлена ​​в 2025 году.

В свою очередь Intel заявляет, что ее технологические узлы 20A и Intel 18A основаны на так называемых полевых транзисторах с полным затвором (GAAFET), которые являются общей практикой для всех предприятий, разрабатывающих технологические узлы, где шаг затвора транзистора меньше 3 нм. Еще одним преимуществом новой технологии Intel является задняя подача питания (так называемая PowerVia). По крайней мере теоретически, это должно обеспечить более высокую плотность логики, более высокие тактовые частоты и меньшую утечку мощности, что приведет к созданию более энергоэффективных конструкций