Samsung разработала память GDDR6W с удвоенной ёмкостью и производительностью

Samsung Electronics представила новый стандарт графической памяти — GDDR6W.

На фоне обычных микросхем GDDR6 новые чипы выделяются вдвое большей ёмкостью и производительностью.

Одной из областей применения новинок станут 3D-ускорители следующего поколения.

В памяти GDDR6W южнокорейский гигант применил технологию FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), что позволило объединить в одной микросхеме в два раза больше DRAM-кристаллов.

Вместе с этим габариты чипов остались сравнимы с аналогами GDDR6, благодаря чему клиенты Samsung смогут легко интегрировать их в свои продукты.

Для новых микросхем заявлена пропускная способность 22 Гбит/с на контакт.

К слову, в ассортименте Samsung есть чипы GDDR6 со скоростью до 24 Гбит/с.

В качестве примера Samsung сравнивает быстродействие новых микросхем с многослойной памятью HBM (High Bandwidth Memory).

Восемь чипов GDDR6W могут обеспечить пропускную способность 1,4 Тбайт/с, что лишь немного уступает показателю четырёх стеков памяти HBM2E (1,6 Тбайт/с).

Ёмкость такого видеобуфера составит 32 ГБ.