Samsung приступила к выпуску микросхем по 3-нм технологии

Samsung Electronics сообщила о старте производства микросхем по 3-нм технологии на основе транзисторов GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor).

Южнокорейскому чипмейкеру удалось опередить конкурентов в этом направлении.

К примеру, тайваньский гигант TSMC рассчитывает наладить серийный выпуск 3-нм продукции во второй половине этого года.

Отличительной чертой 3-нм технологии Samsung является компоновка MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).

Оно подразумевает использование «нанолистов» с широкими каналами, что обеспечивает более высокую производительность и энергоэффективность относительно прошлой GAA-технологии.

Вдобавок Samsung может настроить ширину каналов в зависимости от потребностей заказчика, дополнительно улучшив быстродействие или снизив энергопотребление.

Если сравнивать с 5-нм нормами, то первое поколение 3-нм технологии обеспечивает 16% уменьшение площади чипов, а также позволяет улучшить производительность на 23% и снизить энергопотребление на 45%.

Во втором поколении Samsung рассчитывает снизить энергопотребление до 50%, повысить быстродействие на 30% и уменьшить площадь на 35%.

Изначально 3-нм техпроцесс Samsung будет использоваться при выпуске микросхем для сферы высокопроизводительных вычислений, а спустя некоторое время и при производстве мобильных процессоров.