Intel надеется на технологический прорыв благодаря трехмерным транзисторам Foveros Direct

На мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting 2021 компания Intel обозначила своё видение развития полупроводников до 2025 года и далее.

Чипмейкер декларирует увеличение плотности межсоединений в упаковке более чем в 10 раз, улучшение плотности транзисторов на 30–50%, крупные прорывы в технологиях электропитания и памяти, а также новые концепции в физике полупроводников.

«В Intel никогда не прекращаются исследования и инновации, необходимые для продвижения закона Мура.

Это результат неустанного труда наших лучших ученых и инженеров.

Они продолжают оставаться в авангарде инноваций для развития закона Мура», — рассказал Роберт Чау (Robert Chau), старший научный сотрудник Intel и генеральный менеджер отдела исследований.

Одним из путей развития является технология трехмерной упаковки Foveros Direct, в том числе обеспечивающая размер контактных площадок менее 10 микрон.

Она на порядок увеличивает плотность межсоединений для трехмерной компоновки кристаллов.

Еще одной перспективной разработкой является наложение нескольких транзисторов, знаменующее переход к эре пост-FinFET.

Ожидается, что это улучшит масштабирование логики на 30-50% за счет кратного размещения большего количества транзисторов на квадратный миллиметр.

Intel уже разработала первые в мире переключатели питания на основе GaN с кремниевой структурой КМОП на 300-миллиметровой пластине.

Они создают основу для процессоров, способных выдерживать более высокие напряжения и одновременно уменьшают количество необходимых вспомогательных компонентов.

В области оперативной памяти идет тестирование FeRAM с задержками чтения/записи всего 2 нс.

Intel также прокладывает путь к продвижению закона Мура в эпоху ангстрем, показывая, как новые материалы толщиной всего в несколько атомов могут быть использованы для создания транзисторов.

На IEDM 2021 Intel продемонстрировала первую в мире экспериментальную реализацию магнитоэлектрического спин-орбитального логического устройства (MESO) при комнатной температуре, которая показала потенциальную возможность изготовления нового типа транзистора на основе переключающих магнитов нанометрового размера.