Samsung разработала модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ

На конференции Hot.

Chips 33 компания Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ.

Он работает с частотой 7200 МГц при напряжении 1,1 В.

Решение южнокорейского производителя превосходит DDR4 по четырём основным аспектам: производительность, скорость, ёмкость и токопотребление.

Отмечается общее повышение производительности на 40%, увеличение скорости работы в 2,2 раза, повышение объёма памяти вдвое и снижение напряжения на 8%.

Сообщается, что подобные модули разработаны для центров обработки данных.

Samsung не собирается останавливаться на достигнутом.

Компания планирует выпустить модули терабайтной ёмкости для серверов следующего поколения и хочет сделать DDR5 основным стандартом к 2023-2024 году.

Fixit разобрали «консоль с ручкой» Playdate — в ней нет шестерёнок и механических деталей.