Samsung разработала новую технологию создания радиочастотных модулей 5G

Samsung Electronics представила новейшую радиочастотную технологию на базе 8-нанометрового (нм) техпроцесса.

Новая технология производства подойдет для создания «однокристальных решений», в частности, чипов 5G с поддержкой многоканальных и многоантенных микросхем.

8-нанометровый технологический техпроцесс для радиомодулей, представленный Samsung — последнее пополнение обширного портфолио радиочастотных решений компании, которое также включает 28-нм и 14-нм разработки. Компания Samsung удерживает лидерство в этой области, благодаря поставкам более 500 млн радиочастных микросхем для премиальных смартфонов начиная с 2017 г.

Благодаря продолжающемуся масштабированию и расширению цифровых узлов производительность, энергопотребление и площадь (PPA) цифровых схем значительно улучшились, тогда как в случае с аналоговыми / радиочастотными микросхемами этого не произошло по таким причинам, как негативное взаимное влияние побочного излучения элементов при уменьшении размеров радиоэлектронных модулей. В результате у большинства чипов связи ухудшаются радиохарактеристики, в частности, уменьшается чувствительность, способность принимать слабые по интенсивности радиосигналы и повышается энергопотребление.

Для решения этой проблемы Samsung разработала уникальную архитектуру для 8-нм радиочипов, под названием RFextremeFET (RFeFET). Она позволяет существенно улучшить показатели и снизить потребление энергии. По сравнению с предыдущими 14-нм решениями, RFeFET сочетает цифровое PPA-масштабирование с повышением качества аналогового/RF-масштабирования, благодаря чему растет производительность 5G-платформ.

Разработанный компанией процесс повышает параметры каждого из поддерживаемых частотных диапазонов (для многоканальных и многоантенных решений), при этом сокращая негативное взаимное побочное влияние. Поскольку архитектура RFeFET значительно повышает производительность решения, то суммарное количество радиотранзисторов и площадь аналоговых радиоблоков могут быть уменьшены.

По сравнению с 14-нм техпроцессом, благодаря инновационной разработке RFeFET 8-нм решение Samsung повышает энергоэффективность на 35% и сокращает площадь радиочастотного модуля на 35%.