Samsung испытывает трудности с запуском полупроводникового завода Техасе

В ближайшее время мы увидим запуск массового производства полупроводниковых чипов в США.

Компания TSMC готовится к старту производства на первом заводе в Аризоне.

А Samsung Electronics ведет подготовку к запуску производства на заводе Taylor в Техасе.

Но обе компании столкнулись с проблемами, из-за которых запуск явно будет отложен.

Планировалось, что завод Samsung в Техасе будет производить чипы с применением литографии ниже 4 нм, чтобы сразу привлечь крупных заказчиков.

Позднее компания решила сразу попробовать запустить тут опытное производство 2 нм.

Однако Samsung испытывает серьезные проблемы с качеством производства даже в рамках текущей технологи Gate-All-Around (GAA) 3 нм.

Процент выхода годных чипов по этой технологии около 50%, в то время как TSMC добилась эффективности своего техпроцесса 3 нм на уровне 60-70%.

Переход на 2 нм связан с еще большими трудностями.

Похоже, результаты опытного производства столь плохи, что компания отзывает персонал с завода.

Инсайдер из полупроводниковой отрасли указывает, что эффективность нового техпроцесса лишь 10-20%.

Очевидно, такое производство не имеет экономической целесообразности.

Известно, что Samsung ведет консультации с производителями оборудования ASML и Zeiss.

Но практических результатов по улучшению производства пока нет, поэтому Samsung отзывает всех основных специалистов из США.

Ранее Samsung подписала соглашение с американским правительством в рамках Закона о чипах и науке (CHIPS) на получение субсидий до $6,4 миллиардов для поддержки производства в США.

Одним из предварительных условий является запуск функционирующего производства, чего компании пока не удалось достичь.

И дальнейшие задержки могут поставить под угрозу выделение субсидий.

При этом у самой Samsung были большие планы относительно Техаса, где планировалось построить до трех заводов для выпуска чипов.

Business Korea.